Une nouvelle génération de mémoire pour l’IA et le calcul intensif
À l’occasion de la conférence NVIDIA GTC 2026, Samsung et Micron ont officialisé une avancée majeure dans le domaine de la mémoire haute performance : l’entrée en production de la HBM4, destinée à la future plateforme NVIDIA Vera Rubin.
Les deux fabricants ont confirmé que leurs solutions sont désormais prêtes pour une intégration à grande échelle dans les infrastructures dédiées à l’intelligence artificielle et au calcul intensif.
Samsung annonce la production de masse de sa HBM4
Micron confirme les premières livraisons en volume dès le premier trimestre 2026
Cette évolution marque une étape clé dans le développement des architectures de nouvelle génération.
Des performances en forte hausse pour la HBM4
La mémoire HBM4 introduit des gains significatifs en bande passante et en efficacité énergétique, essentiels pour les charges de travail liées à l’IA.
Spécifications clés annoncées
| Fabricant | Modèle | Débit par pin | Bande passante | Capacité | Gain notable |
|---|---|---|---|---|---|
| Samsung | HBM4 | 11,7 Gbps (13 Gbps visé) | Jusqu’à 4,0 TB/s (HBM4E) | Non précisée | Nouvelle génération |
| Micron | HBM4 36GB 12H | >11 Gbps | >2,8 TB/s | 36 Go | +2,3x vs HBM3E |
| Micron | HBM4 48GB 16H | Non précisé | Non précisé | 48 Go | +33 % capacité |
Samsung a également dévoilé une évolution baptisée HBM4E, capable d’atteindre 16 Gbps par pin et jusqu’à 4,0 To/s de bande passante, illustrant le potentiel futur de cette technologie.
Une innovation technologique au cœur des gains
Pour accompagner ces performances, Samsung introduit une approche avancée de fabrication : le hybrid copper bonding.
Cette technologie permet :
D’empiler jusqu’à 16 couches mémoire ou plus
De réduire la résistance thermique de plus de 20 %
D’améliorer la dissipation de chaleur dans des environnements très denses
Ces optimisations sont cruciales pour les systèmes IA où la gestion thermique devient un enjeu majeur.
Un écosystème complet autour de Vera Rubin
Au-delà de la mémoire HBM4, Samsung et Micron ont également présenté des composants complémentaires destinés à la plateforme Vera Rubin.
Nouvelles solutions mémoire et stockage
SOCAMM2 : modules mémoire déjà en production de masse chez Samsung et Micron
Capacités Micron : de 48 Go à 256 Go, avec un modèle 192 Go en production
Compatibilité avec les systèmes Vera Rubin NVL72 et CPU dédiés
SSD PCIe Gen6 : des performances extrêmes
Les deux acteurs ont également mis en avant leurs SSD de nouvelle génération :
Samsung PM1763 (PCIe 6.0) pour serveurs de démonstration
Micron 9650 PCIe Gen6 :
Jusqu’à 28 Go/s en lecture séquentielle
Jusqu’à 5,5 millions d’IOPS en lecture aléatoire
Ces solutions s’inscrivent dans une logique de plateforme complète, optimisée pour les charges de travail intensives.
Une orientation exclusivement professionnelle
Malgré ces avancées technologiques majeures, ces innovations ne concernent pas le marché grand public. Les produits présentés ciblent exclusivement :
Les data centers
Les infrastructures IA
Les serveurs haute performance
Aucun produit dérivé ou accessible aux consommateurs n’a été annoncé à ce stade.
Une accélération stratégique pour l’IA
Avec la montée en puissance de l’intelligence artificielle, la demande en mémoire à très haute bande passante explose. L’arrivée de la HBM4 en production marque une accélération stratégique pour répondre à ces besoins.
Samsung et Micron se positionnent ainsi comme des acteurs clés de cette transition, en fournissant les briques essentielles des futures plateformes de calcul intensif.
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